使用本仪器进行测量时，由于不需要进行几何边界条件和探针间距的修正，因而对各种形状的薄膜材料及片状材料有广泛的适用性。仪器特别适用于测量片状半导体材料电阻率以及硅扩散层、离子注入层、异型外延层等半导体器件和液晶片导电膜、电热膜等薄层(膜)的方块电阻.
仪器以大规模集成电路为核心部件,特别采用了平面轻触式开关设计和各种工作状态LED指示.并应用了微计算机技术,利用HQ-710F型微计算机作为测量控制及数据处理器,使得测量、计算、读数更加直观、快速，并能打印全部预置和测量数据。
技术指标：
1、测量范围：电阻率：0.001－200Ω.cm(可扩展)
薄层电阻:0.01-2000Ω/口(可扩展)
可测晶片厚度：≤3.00mm
2、恒流电源:电流分为100mA、1mA、10mA、 100ma 四档 ；连续可调；稳定度优于0.3%
3、数字电压表：量程：0－199.99mV;分辨率：0.01mV精度：±0.1%
显示：四位半红色发光管数字显示。极性、小数点、超量程自动显示；
4、模拟电路测试误差：(用1、10、100、1000 ?精密电阻测量)≤±0.3%±1字;
5、整机准确度：(用0.01至180Ω.cm硅标样片测试)≤4%
6、微计算机功能：
A 键盘控制测量取数，自动控制电流换向和电流、电压探针的变换，并进行正、反向电流下的测量，显示出平均值
B 键盘控制数据处理，按内存公式计算出薄层电阻或电阻率平均值以及百分变化。
C 键盘控制打印全部测量数据。包括测量条件，各次测量平均值、值、值，百分变化等数据。
7、外形尺寸：电气主机：360mm×320mm×100mm； 微计算机：300mm×210mm×105mm
8、仪器重量：电气主机：约4kg；测试架(J-2A型):约5kg;微计算机:约2.5kg;
9、电源：AC 220V±10%,50Hz,功率<25W
10、测试环境：温度23±2℃；相对湿度≤65％；无高频干扰；无强光照射。
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