 | ★间歇加工减轻了样品的损伤。 标配的间歇加工模式，可以减轻对样品的热损伤。 |
| ★采用新开发的快速离子源 可提供500μm/h（8KV/2小时的平均值）的研磨速率 ★加工监控功能可通过CCD相机实时查看截面加工状态。 |  |
 | ★可以选择精细抛光。 快速加工之后，通过设定精细抛光参数可以减轻离子束对加工截面表层的损伤。 |
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| 一般加工模式 | 间歇加工模式 |
| 离子加速电压 | 2 ～ 8 kV |
| 离子束直径 | 500μm以上(半高宽) |
| 研磨速率 | 500 μm/h（ 2小时的平均値、加速电压8 kV、硅换算、边缘距离100 μm ） |
| 样品尺寸 | 11 mm（宽） × 10 mm（长） × 2 mm（高） |
| 样品移动范围 | X轴: ±10mm、Y轴: ±3mm |
| 样品旋转角度调节范围 | ±5° |
| 操作方法 | 触控屏、165mm显示器 |
| 离子束气源 | 氩气 |
| 压力测试 | 潘宁规 |
| 排气系统 | 涡轮分子泵、机械泵 |
| 尺寸重量 | 主机: 545 mm（宽） × 550 mm（长） × 420 mm（高）、66kg 机械泵: 150 mm（宽） × 427 mm（长） × 230 mm（高）、约16 kg |
离子研磨仪IB-19510CP
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