★间歇加工减轻了样品的损伤。 标配的间歇加工模式,可以减轻对样品的热损伤。 | |
★采用新开发的快速离子源 可提供500μm/h(8KV/2小时的平均值)的研磨速率 | |
★可以选择精细抛光。 快速加工之后,通过设定精细抛光参数可以减轻离子束对加工截面表层的损伤。 | |
一般加工模式 | 间歇加工模式 |
离子加速电压 | 2 ~ 8 kV |
离子束直径 | 500μm以上(半高宽) |
研磨速率 | 500 μm/h( 2小时的平均値、加速电压8 kV、硅换算、边缘距离100 μm ) |
样品尺寸 | 11 mm(宽) × 10 mm(长) × 2 mm(高) |
样品移动范围 | X轴: ±10mm、Y轴: ±3mm |
样品旋转角度调节范围 | ±5° |
操作方法 | 触控屏、165mm显示器 |
离子束气源 | 氩气 |
压力测试 | 潘宁规 |
排气系统 | 涡轮分子泵、机械泵 |
尺寸重量 | 主机: 545 mm(宽) × 550 mm(长) × 420 mm(高)、66kg 机械泵: 150 mm(宽) × 427 mm(长) × 230 mm(高)、约16 kg |
离子研磨仪IB-19510CP
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